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    Fairchild产品 - FQB34N20L介绍
    FQB34N20L - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 31A, 80mΩ

    FQB34N20L是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQB34N20L是N 沟道 QFET MOSFET 200V, 31A, 80mΩ，本站介绍了FQB34N20L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQB34N20L相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FQB34N20L - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 31A, 80mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FQB34N20L - 产品描述

    该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

    FQB34N20L - 产品特性
    • 31A, 200V, RDS(on) = 75mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 15.5A栅极电荷低（典型值：55nC)
    • 低 Crss（典型值52pF)
    • 100% 经过雪崩击穿测试
    • 低电平栅极驱动要求允许直接从逻辑驱动器进行操作
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQB34N20L - 产品应用

    • 其他工业

    以下列出了FQB34N20L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQB34N20LTM量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.66
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