FQB6N40C - N 沟道 QFET MOSFET 400 V、6 A、1.0 Ω
FQB6N40C是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FQB6N40C是N 沟道 QFET MOSFET 400 V、6 A、1.0 Ω,本站介绍了FQB6N40C的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FQB6N40C相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQB6N40C - N 沟道 QFET MOSFET 400 V、6 A、1.0 Ω - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FQB6N40C - 产品描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因素校正和半桥拓扑的电子灯整流器。
FQB6N40C - 产品特性
- 6 A、400 V、RDS(on) = 1.0 Ω(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 3 A
- 低栅极电荷(典型值 16 nC)
- 低 Crss(典型值 15 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
FQB6N40C - 产品应用
以下列出了FQB6N40C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FQB6N40CTM | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.7569 |
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