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FQB8N90CTM - N 沟道 QFET MOSFET
FQB8N90CTM是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQB8N90CTM是N 沟道 QFET MOSFET，本站介绍了FQB8N90CTM的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQB8N90CTM相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQB8N90CTM - N 沟道 QFET MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQB8N90CTM - 产品描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源。
FQB8N90CTM - 产品特性
- 6.3 A，900 V，RDS(on) = 1.9 Ω（最大值），条件是 VGS = 10 V
- 低栅极电荷（典型值35 nC)
- 低Crss（典型值12 pF)
- 快速开关
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高了 dv/dt 性能
FQB8N90CTM - 产品应用
以下列出了FQB8N90CTM相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQB8N90CTM | 量产-ROHS：截至2014年5月 | $1.38 |
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