FQD12N20L - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ
FQD12N20L是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FQD12N20L是N 沟道 QFET MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ,本站介绍了FQD12N20L的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FQD12N20L相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQD12N20L - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FQD12N20L - 产品描述
该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
FQD12N20L - 产品特性
- 9A, 200V, RDS(on) = 280mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 4.5A栅极电荷低(典型值:16nC)
- 低 Crss(典型值17pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 低电平栅极驱动要求允许从逻辑驱动器直接运行
FQD12N20L - 产品应用
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- CRT/RPTV
- LED电视
- 工作站
- 服务器和大型机
以下列出了FQD12N20L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FQD12N20LTM | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.5141 |
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