FQD2N100 - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、1.6 A、9 Ω
FQD2N100是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FQD2N100是N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、1.6 A、9 Ω,本站介绍了FQD2N100的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FQD2N100相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQD2N100 - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、1.6 A、9 Ω - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FQD2N100 - 产品描述
该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
FQD2N100 - 产品特性
- 1.6 A、1000 V、RDS(on) = 9 Ω(最大值),需 VGS = 10 V、ID = 0.8 A栅极电荷低(典型值:12nC)
- 低 Crss(典型值5pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FQD2N100 - 产品应用
- 照明
以下列出了FQD2N100相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FQD2N100TM | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.5284 |
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