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FQD4P25TM_WS - P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-3.1 A、2.1Ω
FQD4P25TM_WS是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQD4P25TM_WS是P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-3.1 A、2.1Ω，本站介绍了FQD4P25TM_WS的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQD4P25TM_WS相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQD4P25TM_WS - P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-3.1 A、2.1Ω - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQD4P25TM_WS - 产品描述
该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQD4P25TM_WS - 产品特性
- -3.1 A、-250 V、RDS(on) = 2.1Ω ，需 VGS = -10 V
- 较低的栅极电荷（典型值为 10 nC）
- 较低的 Crss（典型值为 10.3 pF）
- 快速开关
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高了 dv/dt 性能
- 符合 RoHS 标准
FQD4P25TM_WS - 产品应用
- 照明
以下列出了FQD4P25TM_WS相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQD4P25TM_WS | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.4142 |
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