FQD8P10 - N 沟道 QFET MOSFET -100V,-6.6A,530mΩ
FQD8P10是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FQD8P10是N 沟道 QFET MOSFET -100V,-6.6A,530mΩ,本站介绍了FQD8P10的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FQD8P10相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQD8P10 - N 沟道 QFET MOSFET -100V,-6.6A,530mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FQD8P10 - 产品描述
该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQD8P10 - 产品特性
- -6.6A, -100V, RDS(on) = 530mΩ(最大值)@VGS = -10 V, ID = -3.3A栅极电荷低(典型值:12nC)
- 低 Crss(典型值30pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
FQD8P10 - 产品应用
- LCD电视
- LED电视
- PDP电视
以下列出了FQD8P10相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FQD8P10TM | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.3713 |
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