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FQH8N100C - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω
FQH8N100C是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQH8N100C是N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω，本站介绍了FQH8N100C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQH8N100C相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQH8N100C - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQH8N100C - 产品描述
该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
FQH8N100C - 产品特性
- 8A，1000V，RDS(on) = 1.45Ω ,VGS = 10 V
- 低栅极电荷（典型值53nC）
- 低Crss（典型值16pF）
- 快速开关
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高了 dv/dt 性能
- 符合 RoHS 标准
FQH8N100C - 产品应用
- 其他工业
以下列出了FQH8N100C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQH8N100C | 量产-ROHS：截至2013年8月 | $2.32 |
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