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FQP10N20C - N 沟道 QFET MOSFET 200V，9.5A，360mΩ
FQP10N20C是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQP10N20C是N 沟道 QFET MOSFET 200V，9.5A，360mΩ，本站介绍了FQP10N20C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQP10N20C相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQP10N20C - N 沟道 QFET MOSFET 200V，9.5A，360mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQP10N20C - 产品描述
该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
FQP10N20C - 产品特性
- 9.5A，200V，RDS(on) = 0.36Ω@VGS = 10V
- 低栅极电荷（典型值20 nC）
- 低Crss（典型值40.5pF）
- 快速开关
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高了 dv/dt 性能
FQP10N20C - 产品应用
- 其他音频与视频
以下列出了FQP10N20C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| PCFQ10N20CW | 量产（特殊订单）-ROHS | 不适用 |
| FQP10N20C | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.4856 |
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