FQP9P25 - P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-9.4 A、620 mΩ
FQP9P25是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FQP9P25是P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-9.4 A、620 mΩ,本站介绍了FQP9P25的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FQP9P25相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQP9P25 - P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-9.4 A、620 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FQP9P25 - 产品描述
该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQP9P25 - 产品特性
- -9.4 A、-250 V、RDS(on) = 0.62 Ω(最大值),需 VGS = -10 V、ID = -4.7 A栅极电荷低(典型值:29nC)
- 低 Crss(典型值27pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
FQP9P25 - 产品应用
- 其他音频与视频
以下列出了FQP9P25相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FQP9P25 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.8568 |
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