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FQPF12N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600 V、12 A、650 mΩ
FQPF12N60C是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQPF12N60C是N 沟道 QFET MOSFET 600 V、12 A、650 mΩ，本站介绍了FQPF12N60C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQPF12N60C相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQPF12N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600 V、12 A、650 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQPF12N60C - 产品描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
FQPF12N60C - 产品特性
- 12 A、600 V、RDS(on) = 650 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 6 A
- 低栅极电荷（典型值 48 nC)
- 低 Crss（典型值 21 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
FQPF12N60C - 产品应用
以下列出了FQPF12N60C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQPF12N60C | 不推荐新设计使用截至2013年10月30日符合RoHS标准截至2006年2月27日 | FDPF12N60NZ |
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