FQPF9P25YDTU - P 沟道 QFET MOSFET -250 V, -6 A, 620 mΩ
FQPF9P25YDTU是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FQPF9P25YDTU是P 沟道 QFET MOSFET -250 V, -6 A, 620 mΩ,本站介绍了FQPF9P25YDTU的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FQPF9P25YDTU相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQPF9P25YDTU - P 沟道 QFET MOSFET -250 V, -6 A, 620 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FQPF9P25YDTU - 产品描述
该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQPF9P25YDTU - 产品特性
- -6 A, -250 V, RDS(on) = 620 mΩ(最大值)@ VGS = -10 V, ID = -3 A
- 低栅极电荷(典型值 29 nC)
- 低 Crss(典型值 27 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
FQPF9P25YDTU - 产品应用
以下列出了FQPF9P25YDTU相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FQPF9P25YDTU | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $1.08 |
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