FQT7N10 - N 沟道 QFET MOSFET 100V,1.7A,350mΩ
FQT7N10是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FQT7N10是N 沟道 QFET MOSFET 100V,1.7A,350mΩ,本站介绍了FQT7N10的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FQT7N10相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQT7N10 - N 沟道 QFET MOSFET 100V,1.7A,350mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FQT7N10 - 产品描述
该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQT7N10 - 产品特性
- 1.7A, 100V, RDS(on) = 350mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 0.85A栅极电荷低(典型值:5.8nC)
- 低 Crss(典型值10pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
FQT7N10 - 产品应用
- LED电视
以下列出了FQT7N10相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FQT7N10TF | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.2342 |
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