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    Fairchild产品 - FQU12N20介绍
    FQU12N20 - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ

    FQU12N20是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQU12N20是N 沟道 QFET MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ，本站介绍了FQU12N20的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQU12N20相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FQU12N20 - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FQU12N20 - 产品描述

    该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及电子镇流器。.

    FQU12N20 - 产品特性
    • 9A, 200V, RDS(on) = 280mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4.5A栅极电荷低（典型值：18nC)
    • 低 Crss（典型值18pF)
    • 100% 经过雪崩击穿测试
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQU12N20 - 产品应用

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    以下列出了FQU12N20相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQU12N20TU量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.5855
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