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FQU2N50B技术文档下载：
FQU2N50B - N 沟道 QFET MOSFET
FQU2N50B是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQU2N50B是N 沟道 QFET MOSFET，本站介绍了FQU2N50B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQU2N50B相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQU2N50B - N 沟道 QFET MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQU2N50B - 产品描述
该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQU2N50B - 产品特性
- 1.6 A、500 V、RDS(on) = 5.3 Ω（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 0.8 A
- 低栅极电荷（典型值 6.0 nC)
- 低 Crss（典型值 4.3 pF)
- 快速开关
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高了 dv/dt 性能
FQU2N50B - 产品应用
以下列出了FQU2N50B相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQU2N50BTU_WS | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.377 |
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