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HGT1S10N120BNS - 1200 V NPT IGBT
HGT1S10N120BNS是Fairchild公司的一款分立式 IGBT产品，HGT1S10N120BNS是1200 V NPT IGBT，本站介绍了HGT1S10N120BNS的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGT1S10N120BNS相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
HGT1S10N120BNS - 1200 V NPT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - Fairchild（仙童半导体）
HGT1S10N120BNS - 产品描述
HGT1S10N120BNST基于非穿通(NPT)IGBT设计。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
HGT1S10N120BNS - 产品特性
- 17 A、1200 V，TC = 110°C
- 低饱和电压：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 10 A
- 典型下降时间。. . . . . . . . TJ= 150°C时为140ns
- 短路额定值
- 低传导损耗
HGT1S10N120BNS - 产品应用
- 不间断电源
以下列出了HGT1S10N120BNS相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| HGT1S10N120BNS | 不推荐新设计使用截至2013年12月13日符合RoHS标准截至2006年2月27日替代部件: | $2.6 |
| HGT1S10N120BNST | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $2.55 |
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