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HGTG18N120BN - 1200 V NPT IGBT
HGTG18N120BN是Fairchild公司的一款分立式 IGBT产品，HGTG18N120BN是1200 V NPT IGBT，本站介绍了HGTG18N120BN的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGTG18N120BN相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
HGTG18N120BN - 1200 V NPT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - Fairchild（仙童半导体）
HGTG18N120BN - 产品描述
HGTG18N120BN基于非穿通(NPT)IGBT设计。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用，如UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
HGTG18N120BN - 产品特性
- 26 A、1200 V、TC = 110°C
- 低饱和电压： VCE(sat)=2.45 V，需 IC=18 A
- 典型下降时间。 . . . . . . . . . . . . . . 140 ns，需 TJ=150°C
- 短路额定值
- 低导通损耗
HGTG18N120BN - 产品应用
- 不间断电源
- 其他工业
以下列出了HGTG18N120BN相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| HGTG18N120BN | 不推荐新设计使用截至2013年12月02日符合RoHS标准截至2006年2月27日 |
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