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Fairchild产品 - HGTG30N60B3介绍
HGTG30N60B3 - 600 V,PT IGBT

HGTG30N60B3是Fairchild公司的一款分立式 IGBT产品,HGTG30N60B3是600 V,PT IGBT,本站介绍了HGTG30N60B3的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与HGTG30N60B3相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

HGTG30N60B3 - 600 V,PT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - Fairchild(仙童半导体)

HGTG30N60B3 - 产品描述

HGTG30N60B3结合最佳的MOSFET高输入阻抗特性和双极型晶体管的低通态导通损耗特性。该IGBT非常适合许多工作频率中等,而低导通损耗又至关重要的高压开关应用,如UPS、太阳能逆变器和电源。

HGTG30N60B3 - 产品特性
  • 30 A、600 V、TC= 110°C
  • 低饱和电压: VCE(sat)=1.45 V,需 IC=30 A
  • 典型下降时间。 . . . . . . . TJ=150°C 时为 90ns
  • 短路额定值
  • 低导通损耗
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • HGTG30N60B3 - 产品应用

    • 发电和配电

    以下列出了HGTG30N60B3相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    HGTG30N60B3量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$4.96
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