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HGTP10N120BN - 1200 V NPT IGBT
HGTP10N120BN是Fairchild公司的一款分立式 IGBT产品，HGTP10N120BN是1200 V NPT IGBT，本站介绍了HGTP10N120BN的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGTP10N120BN相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
HGTP10N120BN - 1200 V NPT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - Fairchild（仙童半导体）
HGTP10N120BN - 产品描述
HGTP10N120BN基于非穿通(NPT)IGBT设计。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如：UPS、光伏逆变器、电机控制以及电源。
HGTP10N120BN - 产品特性
- 17A, 1200V, TC = 110°C
- 低饱和电压：VCE(sat) = 2.45 V，需 IC = 10 A
- 典型下降时间。. . . . . . . . TJ= 150°C时为0.140ns
- 短路额定值
- 低传导损耗
HGTP10N120BN - 产品应用
- 不间断电源
以下列出了HGTP10N120BN相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| HGTP10N120BN | 不推荐新设计使用截至2013年12月19日符合RoHS标准截至2006年2月27日 | FGH15T120SMD_F155 |
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