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IRLM120A技术文档下载：
IRLM120A - N 沟道 A-FET 200 V、1.13 A、800 mΩ
IRLM120A是Fairchild公司的一款MOSFET产品，IRLM120A是N 沟道 A-FET 200 V、1.13 A、800 mΩ，本站介绍了IRLM120A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与IRLM120A相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
IRLM120A - N 沟道 A-FET 200 V、1.13 A、800 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
IRLM120A - 产品描述
IRLM120A - 产品特性
- 雪崩耐用技术
- 坚固的门栅氧化层技术与较低的输入电容
- 增加的栅极电荷
- 增加安全工作区域范围
- 更低的漏电流： 10 μA（最大值）@ VDS = 200 V
- 更低的 RDS(ON)： 0.609 Ω（典型值）
IRLM120A - 产品应用
以下列出了IRLM120A相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| IRLM120ATF | 不推荐新设计使用截至2005年1月12日符合RoHS标准截至2006年2月27日 |
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