NDB6020P - Fairchild仙童P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

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NDB6020P - P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

NDB6020P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，NDB6020P是P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDB6020P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDB6020P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

NDB6020P - P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

NDB6020P - 产品描述

这些逻辑电平P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。

NDB6020P - 产品特性

-24 A，-20 V。 RDS(ON) = 0.05 Ω @ VGS= -4.5 V，RDS(ON) = 0.07 Ω @ VGS= -2.7 V，RDS(ON) = 0.075 Ω @ VGS= -2.5 V。
在高温下额定的临界DC电气参数。
耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
175°C最大结温额定值。
高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

NDB6020P - 产品应用

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

以下列出了NDB6020P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格