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NDB6030PL - P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
NDB6030PL是Fairchild公司的一款MOSFET产品，NDB6030PL是P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDB6030PL的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDB6030PL相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
NDB6030PL - P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
NDB6030PL - 产品描述
这些P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的DC/DC转换器和高效率开关电路等低电压应用。
NDB6030PL - 产品特性
- -30 A，-30 V。 RDS(ON) = 0.042 Ω @ VGS= -4.5 V，RDS(ON) = 0.025 Ω @ VGS= -10 V。
- 在高温下额定的临界DC电气参数。
- 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
- 175°C最大结温额定值。
NDB6030PL - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了NDB6030PL相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| NDB6030PL | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $1.71 |
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