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NDB6060L - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
NDB6060L是Fairchild公司的一款MOSFET产品，NDB6060L是N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDB6060L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDB6060L相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
NDB6060L - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
NDB6060L - 产品描述
这些逻辑电平N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。
NDB6060L - 产品特性
- 48A，60V。 RDS(ON) = 0.025Ω@ VGS=5V。
- 低驱动要求使得能够直接从逻辑驱动器进行操作。 VGS(TH)< 2.0V。
- 在高温下额定的临界DC电气参数。
- 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 175°C最大结温额定值。
- 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
- TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。
NDB6060L - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了NDB6060L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| NDB6060L | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $1.67 |
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