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NDS0605技术文档下载：
NDS0605 - P沟道增强模式场效应晶体管
NDS0605是Fairchild公司的一款MOSFET产品，NDS0605是P沟道增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDS0605的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDS0605相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
NDS0605 - P沟道增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
NDS0605 - 产品描述
这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。NDS0605在需要高达0.18A直流电的大多数应用中可轻松使用，并且可提供高达1A的脉冲电流。该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。
NDS0605 - 产品特性
- -0.18 A, -60 V. RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= -10 V.
- 电压控制的P沟道小信号开关。
- 高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)。
- 高饱和电流。
NDS0605 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了NDS0605相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| NDS0605 | 量产-ROHS：截至2013年1月 | $0.0679 |
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