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NDT3055L - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
NDT3055L是Fairchild公司的一款MOSFET产品，NDT3055L是N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDT3055L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDT3055L相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
NDT3055L - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
NDT3055L - 产品描述
这些逻辑电平N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合DC马达控制和DC/DC转换等低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。
NDT3055L - 产品特性
- 4 A，60 V。 RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V，RDS(ON) = 0.120 Ω @ VGS = 4.5 V。
- 低驱动要求使得能够直接从逻辑驱动器进行操作。 VGS(TH)< 2V。
- 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
- 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力。
NDT3055L - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了NDT3055L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| NDT3055L | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.65 |
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