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Fairchild产品 - PCHG2N120W介绍
PCHG2N120W - 1200 V NPT IGBT

PCHG2N120W是Fairchild公司的一款分立式 IGBT产品,PCHG2N120W是1200 V NPT IGBT,本站介绍了PCHG2N120W的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PCHG2N120W相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

PCHG2N120W - 1200 V NPT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - Fairchild(仙童半导体)

PCHG2N120W - 产品描述
本产品只可在芯片/晶圆中使用。

PCHG2N120W是非穿通(NPT)IGBT设计。它们是MOS门控高压开关IGBT系列的新成员。IGBT充分融合了MOSFET和双极性晶体管的最佳功能。该器件具有MOSFET的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。

PCHG2N120W - 产品特性
  • 高电流能力
  • 低饱和电压: V CE(sat) = 2.05 V,需 IC= 2.6 A(典型值)
  • 高输入阻抗
  • 低导通损耗
  • 1200 V 开关 SOA 特性
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • PCHG2N120W - 产品应用

    • 其他工业

    以下列出了PCHG2N120W相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    PCHG2N120W量产(特殊订单)-ROHS不适用
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