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    Fairchild产品 - RFD3055LESM介绍
    RFD3055LESM - 60V、11A、107mΩ、N沟道逻辑电平Power MOSFET

    RFD3055LESM是Fairchild公司的一款MOSFET产品，RFD3055LESM是60V、11A、107mΩ、N沟道逻辑电平Power MOSFET，本站介绍了RFD3055LESM的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与RFD3055LESM相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    RFD3055LESM - 60V、11A、107mΩ、N沟道逻辑电平Power MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    RFD3055LESM - 产品描述

    这些N沟道加强模式功率MOSFET采用最新制造工艺技术制造。这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。此类晶体管可以直接通过集成电路运行。以前的开发类型为TA49158。

    RFD3055LESM - 产品特性
    • 11A，60V
    • rDS(ON)= 0.107Ω
    • 温度补偿式PSPICE模型
    • 峰值电流与脉宽曲线
    • UIS额定值曲线
    • 相关文献
    • TB334，“PC板焊接表面贴装元件的指南”
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • RFD3055LESM - 产品应用

    • AC-DC商用电源-服务器和工作站
    • 工作站
    • 服务器和大型机

    以下列出了RFD3055LESM相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    RFD3055LESM9A量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.2956
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