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RFP12N10L - 100V、12A、200mΩ、N沟道逻辑电平功率MOSFET
RFP12N10L是Fairchild公司的一款MOSFET产品，RFP12N10L是100V、12A、200mΩ、N沟道逻辑电平功率MOSFET，本站介绍了RFP12N10L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与RFP12N10L相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
RFP12N10L - 100V、12A、200mΩ、N沟道逻辑电平功率MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
RFP12N10L - 产品描述
这些N沟道加强模式硅栅极功率场效应晶体管设计用于逻辑电平(5V)驱动源，适合可编程控制器、车用开关和电磁阀驱动器等应用。这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现，在栅极偏置范围为3V到5V时提供完整的额定电导，从而可以通过逻辑电路电源电压直接实现真正的开-关电源控制。以前的开发类型为TA09526。
RFP12N10L - 产品特性
- 12A, 100V
- rDS(ON)= 0.200Ω
- 针对5V栅极驱动优化的设计
- 可直接从CMOS、NMOS、TTL电路驱动
- 与车用驱动要求兼容
- SOA为有限功耗
- 纳秒开关速度
- 线性传递特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件
- 相关文献
- TB334，“PC板焊接表面贴装元件的指南”
RFP12N10L - 产品应用
- 其他工业
以下列出了RFP12N10L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| RFP12N10L | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.5998 |
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