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SI4435DY技术文档下载：
SI4435DY - 30V P沟道PowerTrench MOSFET
SI4435DY是Fairchild公司的一款MOSFET产品，SI4435DY是30V P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了SI4435DY的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与SI4435DY相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
SI4435DY - 30V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
SI4435DY - 产品描述
此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V–25V)的功率管理应用进行了优化。
SI4435DY - 产品特性
- -8.8 A，-30 V RDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = -10 V RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = -4.5 V
- 低栅极电荷（17nC，典型值）
- 快速开关速度
- 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
- 高功率和高电流处理能力
SI4435DY - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了SI4435DY相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| SI4435DY | 量产-ROHS：截至2014年10月 | $1.1165 |
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