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    当前位置：仙童代理 > > 仙童半导体芯片（数据更新于2024年11月27日）
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  • BU407 - NPN外延硅晶体管
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  • KA258A - 双路运算放大器
  • FTL75939 - 可配置负载开关和复位定时器
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  • FDB8441 - 40V N沟道PowerTrench MOSFET
  • FGA30N60LSDTU - 整流器
  • BAV103 - 通用高电压二极管
  • FQN1N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V，0.3A，11.5Ω
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  • FDMS6673BZ - -30V P沟道PowerTrench MOSFET
  • MMSD4148 - 高电导快速二极管
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  • P6KE150CA - 600W瞬态电压抑制二极管
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  • MM3Z5V6C - 5.6V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
  • FSL126MR - 频率为 67 kHz 且具有可调电流限制的 650 V 集成电源开关，用于 17 W 离线反激式转换器
  • QEE113 - GaAs红外线发光二极管
  • FDD3672_F085 - 100 V、44 A、24 mΩ、Dual DPAKN 沟道 UltraFET Trench
  • QSE258 - 塑硅光电逻辑光电传感器
  • BAS70SL - 肖特基势垒二极管
  • FIN324C - 24位超低功耗串并并串转换器，支持单通道和双通道显示屏（*推荐新设计使用）
  • FQD5P10 - P 沟道 QFET MOSFET -100V，-3.6A，1.05Ω
  • FCH041N60F - N 沟道 SuperFETII FRFET MOSFET 600 V、76 A、41 mΩ
  • FJD3076 - NPN外延硅晶体管
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  • FGA30N60LSD - 600V, 30A, PT IGBT
  • FCPF650N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET
  • KA2807 - 接地漏电检测器
  • SMBJ51CA - 600W瞬态电压抑制二极管
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